题目:以下属于硅掺杂设备是（）
题型:[多选题]
A.曝光机
B.热扩散炉
C.离子注入机
D.VD
参考答案:BC
快跑搜题是大学生考试复习必备的搜题神器,以上就是我们分享的题目[多选题]以下属于硅掺杂设备是（）答案,想要获取更多题目答案,请关注快跑搜题公众号,发送题目即可获得答案。
更多“以下属于硅掺杂设备是（）”相关的问题第1题
硅是半导体产业中最常用的半导体材料，以下（)选项属于硅材料的优点。A.易于进行腐蚀加工
B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D.易于进行n型和p型掺杂
查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第2题
题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。A.温度
B.厚度
C.硅晶向
D.掺杂
查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第3题
题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。A.温度
B.厚度
C.硅晶向
D.掺杂
查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第4题
题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。A.温度
B.厚度
C.硅晶向
D.掺杂
查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第5题
题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。A.温度
B.厚度
C.硅晶向
D.掺杂
查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第6题
对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层，以下说法正确的是（）。A.为电池的窗口层；
B.具有较高的电导率；
C.具有较宽的光学带隙；
D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。
查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第7题
对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层，以下说法正确的是（）。A.为电池的窗口层；
B.具有较高的电导率；
C.具有较宽的光学带隙；
D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。
查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第8题
对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层，以下说法正确的是（）。A.为电池的窗口层；
B.具有较高的电导率；
C.具有较宽的光学带隙；
D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。
查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
